Компанія SK hynix оголосила про початок відвантажень нового покоління високоефективної пам'яті HBM (High Bandwidth Memory). Представники вендора повідомили, що розробку та тестування мікросхем HBM успішно завершено.

Нагадаємо, що технологія HBM поєднує в стек кілька чіпів DRAM, за рахунок чого суттєво покращується швидкість обміну даними порівняно із звичайною оперативною пам'яттю DRAM. Потреба застосування HBM різко зросла у зв'язку з масовим використанням додатків Штучного Інтелекту (AI), продуктивність яких залежить від швидкості обміну даними між процесорними ядрами і оперативної пам'яттю комп'ютерів.

Модулі HBM3E (розширена версія HBM3) складаються з 12 чіпів і виготовляються за допомогою вдосконаленої фірмової технології SK hynix MR-MUF (Mass Reflow-Molded Underfill). Нові модулі забезпечують пропускну здатність до 1,18 Тбайт/сек, а також на 10% зменшують тепловиділення порівняно з HBM3. Максимальна ємність одного модуля HBM3E дорівнює 36 Гбайт.