Кілька днів тому японський виробник флеш-пам’яті та SSD Kioxia оголосив про початок виробництва вбудованої флеш-пам'яті Universal Flash Storage (UFS) Ver. 4.0. Новинка використовує технологію quadruple-level cell (QLC), що завдяки удосконаленням контролера та механізму корекції помилок виконує запис в одну комірку пам'яті чотирьох бітів. QLC UFS помітно збільшує щільність запису в порівнянні з пам'яттю Triple-Level Cell (TLC) UFS, що записує в одну комірку по три біти.

Модулі пам'яті QLC UFS розміром 9×13 мм, що представила Kioxia, мають ємність від 256 Гбайт до 1 Тбайт і  забезпечують швидкість послідовного читання і запису даних відповідно до 4200 і 3200 Мбайт/сек. Як вважає виробник, вони будуть використовуватися у смартфонах та планшетах, а також в ПК, мережевому обладнанні, пристроях AR/VR, IoT, та AI, а також у камерах систем відеоспостереження, промислових сканерах та PoS-терміналах.