Компанія Intel успішно здійснила процес літографування НВІС за технологічними нормами Intel 20A і Intel 18A, де числом з літерою А позначається гранична роздільна здатність (мінімальна відстань між сусідніми напівпровідниковими елементами в ангстремах, де 10 Å = 1 нм. Таким чином американський чипмейкер наближається до 1-нанометрового технологічного процесу. Про це заявила Руі Ванг (Rui Wang), старший віце-президент Intel China.

Виробничий процес Intel 20A містить нововведення в порівнянні з технологіями TSMC, такі як транзистори RibbonFET з окружними затворами та нова схема подачі живлення PowerVia на логічні елементи.

Інвестування Intel в одразу дві нові технології може забезпечити їй технологічне лідерство, оскільки конкуренти TSMC і Samsung Electronics віддають перевагу більш плавному вдосконаленню своїх техпроцесів. Проте, реалізація двох нових технологій одночасно також несе серйозні ризики.

Після успішного лабораторного експерименту Intel планує почати серійне виробництво чіпів за нормою Intel 20A в першій половині 2024 року, притому як для власних потреб, так і як контрактний постачальник для сторонніх замовників.