Південнокорейський виробник Samsung Electronics повідомив про готовність до виробництва 16-гігабітних модулів DRAM пам'яті DDR5 по новому 12-нанометровому технологічного процесу.

Повідомляється, що модулі DRAM 12 нм досягають швидкості 7,2 Гбіт/с. Таким чином, два UHD-фільми розміром 30 ГБ можуть бути оброблені всього за одну секунду.

Крім того, висока швидкість нової DRAM супроводжується вищою енергоефективністю, оскільки ці модуля пам’яті споживають на 23% менше енергії.

Цей технологічний стрибок став можливим завдяки використанню нового високоміцного матеріалу, що збільшує ємність осередків, та запатентованої технології проектування, яка покращує характеристики критичних схем. У поєднанні з передовою багатошаровою літографією в екстремальному ультрафіолеті (EUV), нова DRAM відрізняється високою щільністю запису, що дозволяє підвищити продуктивність пластин на 20%.

Також оголошено про завершення сертифікації цього нового продукту на сумісність із комп'ютерною платформою AMD Zen.