Компания Kioxia планирует рассылать в 1-м квартале предсерийные образцы новой памяти. Микросхемы нового типа памяти состоят из  NAND-ячеек TLC (три бита данных на одну ячейку) и отличаются ёмкостью 512 Гбит (64 Гбайт). 112-слойный процесс вертикального стекирования слоёв полупроводниковых ячеек позволяет почти на 20% нарастить ёмкость единичного чипа флэш-памяти по сравнению с наиболее передовым на сегодня 96-слойным техпроцессом.

Трёхмерная 112-слойная флэш-память пятого поколения BiCS — совместная разработка Kioxia и Western Digital.  Инновационный техпроцесс разработан и внедрён на новейших фабриках компании Kioxia (Yokkaichi Plant и Kitakami Plant).

Увеличение числа доступных ячеек на единицу площади позволяет удешевить производство самой флэш-памяти и выпуск готовых продуктов на её основе.