Быстродействие компьютера зависит от многих факторов, но в первую очередь – от производительности центрального процессора и оперативной памяти. Скорость ОЗУ обычно определяется двумя основными характеристиками: тактовой частотой и латентностью , то есть таймингами. Стандартные чипы распространенной сегодня оперативной памяти DDR3 поддерживают частоту 1333 МГц и 1600 МГц. Однако есть особый сегмент суперпроизводительной и высоконадежной памяти с частотой до 3000 МГц. Эта память легко поддается разгону до гораздо более высоких частот в сравнении со штатными.

Тайваньская компания GeIL (Golden Emperor International Ltd, именно так расшифровывается аббревиатура Geil) представила новую линейку оперативной памяти EVO POTENZA, которая была разработана специально для чипсетов Intel Z87. Отметим, что платформа на ядре Haswell с новым процессорным разъемом LGA 1150 и чипсетом Intel Z87 поддерживает модули памяти, работающие на эффективной частоте 3 ГГц и выше. Именно поэтому сразу несколько производителей ОЗУ начали выводить на рынок оверклокерские комплекты памяти, способные сохранять стабильность в режиме DDR3-3000. 

Напомним, что серия Potenza, от итальянского слова «мощь» — это название целой линейки быстродействующей премиум-памяти производства GeIL.

Особенность линейки EVO POTENZA состоит в оснащении новейшими радиаторами Potenza, которые разработаны по технологии GeIL MTCD (Maximum Thermal Conduction & Dissipation). Предусматривается, что эти теплорассеиватели смогут обеспечить отличную эффективность охлаждения даже на самых высоких частотах.

Внешний вид EVO POTENZA достаточно привлекателен – черный оникс с красными стильными элементами. Каждый модуль производится на восьмислойной фирменной печатной плате BlackDragon с применением самых лучших чипов памяти.

Для обеспечения максимальной надежности все модули серии EVO POTENZA проходят особое стресс тестирование памяти под названием Geil –DBT-Die-hard Burn-in. Как известно, процесс стрессового тестирования, который иногда называют «прожигом» (Burn-in), применяется в полупроводниковой индустрии для контроля надежности производственного процесса. Тестирование происходит при повышенной температуре и напряжении. Такой подход позволяет отследить дефекты в некоторых микросхемах на ранних стадиях работы.

При производстве оперативной памяти стрессовое тестирование применяется, в основном, для проверки только самых дорогих модулей памяти. Однако компания GeIL подвергает такому тестированию абсолютно все продукты серии EVO POTENZA. Процесс тестирования Die-hard Burn-in происходит в специальной камере (DBT-1) при температуре 100 градусов Цельсия в течение 24 часов. В этом помещении одновременно проверяются тысячи модулей памяти, которые подключены к специальным интерфейсам плат DRAM-контроллеров. Для контроля используется специальное ПО, разработанное компанией GeIL. Напомним, что память EVO POTENZA обеспечивается пожизненной гарантией.

GeIL OnyxBlack EVO POTENZA может разгоняться до 3 ГГЦ и даже выше, имеет хороший разгонный потенциал при низком напряжении, совместима со всеми системами охлаждения для ЦП. Эффектный внешний вид и неограниченная гарантия – дополнительное преимущество.

Стоимость этой памяти намного выше стоимости обычной mainstream-памяти. Но если борьба идет за каждый дополнительный процент прироста скорости, приобретение новинки от Geil вполне оправдано.

Спецификация EVO POTENZA:

Частота	Тайминги	Объем	Напряжение
1866МГц	9-10-9-28	8Гб, 16ГБ, 32ГБ	1.5V
1866 МГц	9-11-9-28	8ГБ, 16ГБ, 32ГБ	1.5V
1866 МГц	10-10-10-32	8ГБ, 16ГБ, 32ГБ	1.5V
2133 МГц	9-10-9-28	8ГБ, 16ГБ, 32ГБ	1.65V
2133 МГц	9-11-9-28	8ГБ, 16ГБ, 32ГБ	1.65V
2133 МГц	10-10-10-30	8ГБ, 16ГБ, 32ГБ	1.5V
2133 МГц	10-11-11-30	8ГБ, 16ГБ, 32ГБ	1.5V
2400 МГц	10-11-11-30	8ГБ, 16ГБ, 32ГБ	1.65V
2400 МГц	11-11-11-30	8ГБ, 16ГБ, 32ГБ	1.65V
2400 МГц	11-12-12-30	8ГБ, 16ГБ, 32ГБ	1.65V
2666 МГц	11-13-13-32	8ГБ, 16ГБ, 32ГБ	1.65V
2800 МГц	11-13-13-35	8ГБ, 16ГБ, 32ГБ	1.65V
2933 МГц	11-12-12-36	8ГБ, 16ГБ, 32ГБ	1.65V
2933 МГц	12-13-13-36	8ГБ, 16ГБ, 32ГБ	1.65V
3000 МГц	12-14-14-36	8ГБ, 16ГБ, 32ГБ	1.65V
3000 МГц	13-14-14-36	8ГБ, 16ГБ, 32ГБ	1.65V