При помощи новых высокопроизводительных высокоемкостных модулей памяти DDR4, Samsung сможет удовлетворить потребность рынка в прогрессивных DDR4-решениях для ЦОДов и корпоративных серверов.
Более раннее появление на рынке 4-гигабитных (Гб) DDR4 устройств, созданных на основе 20-нанометрового техпроцесса, поспособствует росту спроса на модули памяти емкостью 16 гигабайт (ГБ) и 32 гигабайта, которые смогут в будущем заменить традиционные модули памяти DRAM емкостью 8 ГБ на основе 30-нм техпроцесса, которые наиболее распространены на данный момент.
«Применение сверхскоростных модулей памяти DDR4 в серверных системах следующего поколения в этом году будет способствовать скорейшему внедрению передовых модулей памяти на многих крупных предприятиях, – отметил Янг Хен Чжун (Young-Hyun Jun), исполнительный вице-президент департамента маркетинга и продаж устройств памяти Samsung Electronics. – Ранее в 2013 году мы обеспечили высокую производительность работы корпоративных серверов, благодаря своевременной поставке чипов памяти DDR3 емкостью 16 ГБ. Мы продолжаем расширять свое присутствие на рынке модулей памяти для корпоративных серверов и сосредоточим наши усилия на увеличении емкости и производительности чипов памяти DDR4 емкостью 32 ГБ. Также мы сконцентрируемся на том, чтобы способствовать еще большему росту «зеленого» ИТ-рынка в 2014 году».
Использование высокоскоростных чипов памяти DRAM в работе корпоративных серверов следующего поколения значительно повышает производительность системы и снижает уровень энергопотребления. Применяя технологии модулей памяти DDR4 на раннем этапе, ОЕМ-производители могут свести к минимуму эксплуатационные расходы и значительно увеличить производительность, обеспечив, таким образом, более быстрый возврат инвестиций.
Производство 4-гигабитных чипов памяти Samsung DDR4 20-нм класса является закономерным шагом после внедрения 2-гигабитных модулей памяти DDR3 50-нм класса в 2008 году, в результате чего полноценный переход на DDR4 крупномасштабных вычислительных центров и других корпоративных приложений произошел всего за пять лет. Скорость передачи данных 4-гигабитным чипом памяти DDR4 составляет 2667 Мбит/с, что в 1,25 раза больше скорости модулей DDR3, в которых также используются микросхемы 20-нанометрового класса. При этом энергопотребление чипа снижено более чем на 30%.
Компания Samsung Electronics продолжает стремиться к разработке самых экологичных чипов памяти и решений следующего поколения для ИТ-рынка. С развитием инновационных подходов, направленных на компьютерные системы, решения и программное обеспечение, компания продолжит укреплять свои позиции в сфере создания экологичных чипов памяти, содействуя дальнейшему расширению экологичных решений для ИТ-рынка.
