Samsung представила 16-Гб DRAM DDR3 и высокопроизводительные SSD для серверов
30.09.2011
Компания Samsung Electronics сообщила о выпуске новых модулей оперативной памяти DRAM DDR3 и твердотельных жестких дисков SSD.
На форуме Green Memory компания Samsung Electronics продемонстрировала последнюю разработку — 16-Гб DRAM DDR3 на 4-гигабитной основе. По словам разработчиков, проводившиеся сравнительные тесты и исследования показали, что оперативная память Samsung нового поколения работает на 20% быстрее, 40% эффективнее и потребляет на 20% меньше электроэнергии по сравнению с предыдущим поколением.
Samsung также представила 2,5-дюймовые модели промышленных твердотельных жестких дисков SSD, ориентированных в большей степени для использования в серверах и дата-центрах. Сообщается, что новинки отличаются высокой производительностью и экономичным потреблением энергии. Так, по результатам теста IOMeter File Server, они имеют производительность примерно в 11 раз выше, чем самые быстрые из жестких дисков SAS, SCSI и Fibre-Channel с частотой вращения 10 000 и 15 000 об./мин. Кроме того, утверждается, что новые твердотельные жесткие диски SSD на 25% надежнее и потребляют в четыре раза меньше энергии по сравнению с 2,5-дюймовыми жесткими дисками SAS.
Новинки виконані у компактному форм-факторі M.2, використовують шину PCIe 4.0 та призначені для вбудованих систем, включаючи пристрої Штучного інтелекту речей (Artificial intelligence of things, AIoT)...
Прискорювач забезпечить значний стрибок у навчанні та розвитку ШІ для глобальних підприємств, які прагнуть розгорнути GenAI у великих масштабах. Прогнозується, що в порівнянні з Nvidia H100, Intel Gaudi...
Нагадаємо, що технологія HBM поєднує в стек кілька чіпів DRAM, за рахунок чого суттєво покращується швидкість обміну даними порівняно із звичайною оперативною пам'яттю DRAM.
Накопичувач Transcend MTS570P випускається в конфігураціях ємністю 128, 256 і 512 Гбайт, використовує 112-рівневі чіпи флеш-пам'яті 3D NAND, виконаний у 42-мм форм-факторі M.2 2242 і має шестигігабітний інтерфейс.
Зростання електромобільності у всьому світі приводить до величезного попиту на цей напівпровідник. Карбідокремнієві чіпи роблять зарядку ефективнішою, оскільки за їхнього використання втрати енергії до 50% нижчі.