Компании Intel и Micron Technology объявили о переходе на нормы 20-нм технологического процесса при производстве NAND-памяти. Новый процесс позволяет выпускать чипы с многоуровневой структурой ячеек (MLC) емкостью 8 ГБайт в виде миниатюрных модулей, позволяющих хранить огромное количество различных данных в смартфонах и планшетах. Эти чипы будут применяться также в твердотельных накопителях (SSD).

Новые микросхемы емкостью 8 ГБайт, выполненные на базе 20-нм технологии, имеют площадь всего 118 кв. мм, занимая на 30-40% меньше пространства на печатной плате (зависит от типа корпуса) по сравнению с чипами емкостью 8 ГБайт, выполненными на базе 25-нм технологии. Уменьшение размеров позволяет улучшить свойства конечного продукта, например, установить батарею большей емкости, больший экран или добавить еще один чип для расширения функционала.

Новые чипы выпускаются IM Flash Technologies (IMFT), совместным предприятием Intel и Micron. Уменьшение техпроцесса является эффективным способом расширения производственной мощности в пересчете на единицу объема информации - данный шаг позволил примерно на 50% увеличить мощность производства в гигабайтах по сравнению с технологией предыдущего поколения.

В настоящее время ведутся поставки тестовых образцов 20-нм чипов памяти на 8 ГБайт. Серийный выпуск планируется начать во второй половине 2011 г. В ближайшее время Intel и Micron планируют представить образцы модулей емкостью 16 ГБайт, которые позволят создавать твердотельные накопители емкостью 128 Гбайт размерами меньше, чем почтовая марка.