Аналитическое агентство In-Stat выполнило исследование, посвященное перспективам технологии Universal Serial Bus (USB) 3.0, также известной как SuperSpeed USB. Аналитики из In-Stat прогнозируют, что в ближайшие годы третье поколение USB начнет широко использоваться в ПК и различных периферийных устройствах, особенно в тех, что рассчитаны на хранение больших объемов данных или быструю передачу файлов, — это могут быть, например, внешние жесткие и твердотельные диски, портативные мультимедиа-плейеры, ЖК-мониторы, цифровые фотокамеры. Устройства с поддержкой SuperSpeed USB появятся уже в 2010-м, и хотя на первых порах их распространение будет сдерживаться высокой стоимостью реализации USB 3.0, к 2012 г. этим интерфейсом будет оборудовано около 70% внешних дисков, его будет поддерживать большинство портативных и настольных компьютеров, а в 2013-м число проданных флэш-дисков USB 3.0 достигнет 200 млн.
В июне корпорация NEC анонсировала первый контроллер USB 3.0, а на очередной конференции Intel Developer Forum будут представлены оборудованные новым интерфейсом ноутбук Fujitsu, видеокамера и твердотельный диск, а также системная плата Asus.
Интерфейс SuperSpeed USB по сравнению со USB 2.0 обеспечивает увеличение скорости передачи данных в десять раз, до 4,8 Гбит/с, и в то же время он обратно совместим со своим предшественником.
По данным In-Stat, в прошлом году во всем мире было продано более трех миллиардов устройств USB.
Новинки виконані у компактному форм-факторі M.2, використовують шину PCIe 4.0 та призначені для вбудованих систем, включаючи пристрої Штучного інтелекту речей (Artificial intelligence of things, AIoT)...
Прискорювач забезпечить значний стрибок у навчанні та розвитку ШІ для глобальних підприємств, які прагнуть розгорнути GenAI у великих масштабах. Прогнозується, що в порівнянні з Nvidia H100, Intel Gaudi...
Нагадаємо, що технологія HBM поєднує в стек кілька чіпів DRAM, за рахунок чого суттєво покращується швидкість обміну даними порівняно із звичайною оперативною пам'яттю DRAM.
Накопичувач Transcend MTS570P випускається в конфігураціях ємністю 128, 256 і 512 Гбайт, використовує 112-рівневі чіпи флеш-пам'яті 3D NAND, виконаний у 42-мм форм-факторі M.2 2242 і має шестигігабітний інтерфейс.
Зростання електромобільності у всьому світі приводить до величезного попиту на цей напівпровідник. Карбідокремнієві чіпи роблять зарядку ефективнішою, оскільки за їхнього використання втрати енергії до 50% нижчі.